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褚君浩是我国的半导体物理和器件专家,长期从事红外光电子材料和器件、铁电薄膜材料研究,曾发表学报论文500余篇,出版《窄禁带半导体物理学》等中英文专著三本,获得碲镉汞本征吸收光谱,提出碲镉汞禁带宽度表达式,建立了窄禁带半导体表面二维电子气子能带结构理论等。
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来源|学习强国
编辑|李梓昕
编审|吴潇岚
2025-06
2025-07