1月10日 邓勇辉:有序介孔半导体金属氧化物材料设计合成及其气敏性能研究(化学优秀学者系列学术报告)

  

报告人简介:

  邓勇辉,复旦大学化学系,教授、博士生导师,国家优秀青年基金获得者、教育部首批青年长江学者。主要从事功能多孔材料合成及其在催化、化学传感等方面的应用研究。在Chem. Soc. Rev.、J. Am. Chem. Soc.、Angew. Chem. Int Ed.、Advanced Materials等国际核心学术期刊上,发表SCI论文130多篇,论文引用超过10000次,H指数为50(Google Scholar),单篇研究论文引用超过1000次。撰写中、英文论著各一章。2017、2014年分别获得教育部自然科学奖一等奖(第二完成人)和二等奖(第一完成人)。2014-2017年连续四年入选Elsevier中国高被引用学者榜单(材料科学)、教育部首批青年长江学者(2015)、第二批中组部青年拔尖人才(2015)、国家优秀青年基金获得者(2014)、上海市青年科技英才(2014)、教育部“新世纪优秀人才”(2012)、上海市“曙光学者”(2013)等荣誉。担任Adv. Porous Mater.副主编、Chinese Chemical Letters执行副主编,申请中国发明专利32件(授权21件)。

  

报告摘要:

  半导体金属氧化物材料作为一类重要的功能材料,已经被广泛应用于非均相催化、传感、能源等领域。构筑独特纳米结构的半导体金属氧化物,可赋予其超高的比表面积、孔隙率以及丰富活性界面,并大幅度提升其应用性能。与半导体工业中的“Top-down”制备工艺相比,化学合成法可在更小的尺度范围内实现纳米半导体材料的可控合成,且具有更强的灵活性、可剪裁性。近年来,我们通过自行设计合成的两亲性嵌段共聚物作为结构导向剂(也称软模板剂),基于这些模板剂与无机前驱物的组装,发展了各种有机-无机协同共组装合成策略,设计合成了具有可调孔径(10-40 nm)、丰富骨架组成(WO3、ZnO、In2O3、SnO2等)以及巨大比表面积(80-200 m2/g)的有序介孔半导体金属氧化物材料,发现这类材料能够对特定气体分子(如VOCs,H2、CO、H2S、alcohol、ketone等)显示优异的气敏传感性能,为今后发展高性能气敏传感器奠定了基础。